ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА

       

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Предисловие

Тиристоры — полупроводниковые приборы с четырехслойной р-n-р-n структурой обладают такими свойствами, как быстродействие, достаточно боль-шие рабочие напряжения и токи, мгновенная готовность к работе, высокий КПД большой срок службы и др., которые обеспечили им широкое распространение в электронике, электротехнике, автоматике и в ряде других областей техники.

По принципу действия полупроводниковые приборы с четырехслойной струк­турой существенно отличаются от транзисторов и в электрических устройствах действуют как полупроводниковые ключи, которые открываются и закрываются при кратковременной подаче соответствующих сигналов. Таким образом, эти полупроводниковые приборы обладают замечательным свойством «запоминать» заданное им внешним сигналом электрическое состояние.

В настоящее время тиристоры с успехом конкурируют с мощными транзис­торами, тиратронами, электромеханическими и механическими реле и широко применяются в таких устройствах, как переключатели, реле времени, регуляторы напряжений, импульсные генераторы, управляемые выпрямители, инверторы, и др. Использование полупроводниковых приборов с четырехслойной структурой позволяет более просто реализовать ряд известных схем, а также создавать новые устройства, схемы которых не имеют аналогов в ламповой и транзистор­ной технике.

Успешное и эффективное применение тиристоров возможно в тех случаях, когда радиолюбитель знаком не только с паспортными данными приборов, но к понимает физические принципы действия приборов, влияния на их работу раз­личных факторов, а также отчетливо представляет методы построения схем ти-ристорных устройств. В то же время популярной радиотехнической литературы, в которой были бы систематизированы сведения о тиристорах и созданных на их основе устройствах, пока еще мало.

В настоящей книге читатель, недостаточно знакомый с полупроводниковыми приборами с четырехслойной р-n-р-n структурой и принципами использования их в различных устройствах, сможет найти ответы на основные возникающие у него вопросы.
В книге рассматриваются физические основы работы и основные характеристики диодных и триодных тиристоров. Показаны способы и возмож­ности применения этих приборов на примерах схем разнообразных устройств, приводятся рекомендации по выбору и расчету основных элементов схем.

Второе издание книги (первое вышло в 1978 г.) переработано и дополнено рядом схем тиристорных устройств, а также сведениями о некоторых типах три­одных тиристоров. Можно надеяться, что схемы описанных устройств и принци­пы, заложенные в основу их работы, привлекут внимание читателя и послужат ему исходным материалом для разработки на их основе оригинальных уст­ройств.

Отзывы о книге присылать по адресу: 101000, Москва, Почтамт, а/я 693, издательство «Радио и связь», Массовая радиобиблиотека.

Глава 1

 

УСТРОЙСТВО, ПРИНЦИП РАБОТЫ

И ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ С ЧЕТЫРЕХСЛОЙНОЙ СТРУКТУРОЙ

 

1.     Устройство, принцип работы,

обозначения диодных и триодных тиристоров

Приборы с четырехслойной структурой р-n-р-n представляют собой один из видов многочисленного семейства полупроводниковых приборов, свой­ства которых определяются наличием в толще полупроводниковой пластины смежных слоев с различными типами проводимости. Основу такого прибора со­ставляет кремниевая пластина, имеющая четырехслойную структуру, в которой чередуются слои с дырочной р и электронной n проводимостями (рис. 1,а). Эти четыре слоя образуют три р-n перехода J1, J2, Jз. Выводы в приборах с че­тырехслойной структурой делаются от двух крайних областей (р и л), а в боль­шинстве приборов — и от внутренней области р.

Крайнюю область р структуры, к которой подключается положительный полюс источника питания, принято называть анодом А; крайнюю область n, к которой подключается отрицательный полюс этого источника, — катодом K, а вывод от внутренней области р — управляющим электродом УЭ. Естественно, что для полупроводникового прибора такие определения носят ус­ловный характер, однако они получили широкое распространение по аналогии с тиратронами и ими удобно пользоваться при описании схем с этими приборами.



ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Рис. 1. Схематическое устройство полупроводникового прибора с четырехслой­ной структурой (а), представление его в виде двухтранзисторной схемы (б, в)

Согласно ГОСТ 15133 — 77 все переключающие полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми состояниями, имеющие три или более р-n перехода, называются тиристорами. Приборы с двумя выводами (анод и катод) назы­ваются диодными тиристорами или динисторами, а приборы с тремя выводами (анод, катод, управляющий электрод) — тр йодным и ти­ристорами или тринисторами. В этой книге рассматриваются только эти два типа приборов, которые широко (особенно тринисторы) применяются в различных устройствах. С другими типами полупроводниковых приборов с мно­гослойной структурой (запираемыми и симметричными тиристорами, фототирис-торамл и др.) читатель может познакомиться в [1 — 4].

Полупроводниковый прибор с четырехслойной структурой может быть мо­делирован комбинацией двух обычных транзисторов с различными типами про­водимости (рис. 1,6, в): VTt со структурой р-n-р и VT2 со структурой n-р-n. У транзистора VTl переход J1 является эмиттерным, а переход J2 — коллекторным, у транзистора VT2 эмиттерным служит переход J3, а коллекторным J2; таким «образом, оба транзистора имеют общий коллекторный переход J2 (рис. 1,6). Крайние области четырехслойной полупроводниковой структуры являются эмит­терами, а внутренние — базами и коллекторами составляющих транзисторов VТг и VT2.

База и коллектор транзистора VT1 соединяются соответственно с коллекто­ром и базой транзистора VT2, образуя цепь внутренней положительной обратной связи (рис. 1,6, в). Действительно, из рис. 1,в видно, что коллекторный ток IK1 транзистора VT1 одновременно является базовым током IБ2, отпирающим тран­зистор VT2, а коллекторный ток Iк2 последнего — базовым током IБ1, отпирающим транзистор УТ1, т. е. база каждого транзистора питается коллек­торным током другого транзистора.

Рассмотрим режим работы полупроводникового прибора с четырехслойной структурой, когда на него подано небольшое напряжение: плюс источника пи­тания Uпит через резистор R подключен к аноду, минус — к катоду, а ток в цепи управляющего электрода равен нулю (рис 1,а, в).


Напряжение такой по­лярности называется прямым. Приложенное к прибору напряжение распреде­ляется между тремя р- n переходами структуры. При указанной полярности на­пряжения Uпит оба эмиттерных перехода J1 и J3 составляющих транзисторов будут включены в прямом, а общий коллекторный переход J2 — в обратном на­правлениях. Таким образом, все напряжение источника практически окажется приложенным к среднему переходу J2, который препятствует протеканию боль­шого тока через прибор, несмотря на то, что два других перехода структуры включены в прямом направлении. Через полупроводниковый прибор и во внеш­ней цепи начинает протекать небольшой ток IJ2 коллекторного перехода J2, включенного в обратном направлении.

Обозначим через ai и а2 интегральные коэффициенты передачи токов эмит­теров транзисторов VTl и VT2 соответственно. Из рассмотрения транзисторной схемы замещения (рис. 1,б,в) видно, что ток IJ2, протекающий через переход J2, складывается из трех компонентов: коллекторных токов a1IЭl и a2IЭ2, создан­ных эмиттерными токами обоих транзисторов, и небольшого собственного обрат­ного тока этого перехода Iко, т. е.

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


где IЭ1 и IЭ2 — эмиттерные токи составляющих транзисторов VT1 и VT2 соот­ветственно; Iко — собственный обратный ток коллекторного перехода J2.

Как видно из рис. 1,6, е, токи IЭ1, IЭ2 и Ij2 должны быть одинаковыми пс» значению с током во внешней цепи I и, следовательно, равны между собой, т. е. IЭ1 = IЭ2 =IJ2 = I. Таким образом,

I = a1I + а2I + IК0,

отсюда

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА
                                                                                                                                     (1)

Уравнение (1) является основным соотношением для полупроводниковые приборов с четырехслойной структурой р-n-р-n, из которого видно, что ток I через прибор зависит от значения коэффициентов a1 и а2 и резко возрастает, когда сумма (a1+a2) приближается к единице.

Пока напряжение, приложенное к прибору, таково, что коллекторный пере­ход J2 остается включенным в обратном направлении, ток, протекающий через переход мал, а значения коэффициентов си и а2 много меньше единицы.


Тогда на основании равенства (1) получаем, что ток во внешней цепи примерно равен собственному обратному току коллекторного перехода, который применительно к четырехслойной полупроводниковой структуре принято называть током в закрытом состоянии, т. е. I=Iко=Iзс. В этом режиме оба транзистора находятся в выключенном состоянии, сопротивление между выводами А и K, которое определяется сопротивлением перехода J2, включенного в обратном на­правлении, будет большое (сотни килоом), что соответствует закрытому (непро­водящему) состоянию полупроводникового прибора с четырехслойной структу­рой.

Существуют два основных способа увеличения коэффициента а, получивших наибольшее распространение в практике. Известно, что значение коэффициента передачи тока эмиттера в кремниевых транзисторах существенно зависит от тока эмиттера, а также от напряжения между коллектором и эмиттером. На рис. 2 показаны примерные зависимости коэффициента а от напряжения кол­лектор — эмиттер (при токе базы, равном нулю) и от тока эмиттера кремние­вого транзистора. При токах эмиттера, не превышающих долей миллиампера,, значение а мало — менее 0,1. Оба способа воздействия на коэффициенты ai и ctj используются для включения полупроводниковых приборов с четырехслойной структурой.

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Рис. 2. Примерные за­висимости коэффици­ента а от напряже­ния коллектор — эмиттер Uкэ (а) и от тока эмиттера IЭ (б) у кремниевого транзистора

Вначале рассмотрим способ открывания прибора путем повышения напряже­ния, приложенного к выводам анод — катод (рис. 1,а, в], полагая ток управляю­щего электрода Iу равным нулю. Начнем постепенно увеличивать напряжение-£Лшт, а тем самым и напряжения, действующие между коллектором и эмитте­ром у каждого из составляющих транзисторов (рис. l,s). Сначала ток через прибор остается практически неизменным, так как токи составляющих транзис­торов и ток Iко почти не возрастают, поскольку коллекторный переход J2 про­должает оставаться включенным в обратном направлении, а коэффициенты a1 и a2 по-прежнему много меньше единицы (рис. 2,а).


При дальнейшем повыше­нии напряжения и по мере приближения его к пробивному напряжению нерехо-да J2 начинают увеличиваться токи составляющих транзисторов, ток Iко, а следовательно, и коэффициенты a1 и a2. При некотором значении напряжения на приборе, которое называется напряжением переключения UПрк, про­исходит пробой перехода J2, сопровождающийся лавинообразным нарастанием токов обоих составляющих транзисторов и тока через прибор.

При напряжениях, достаточно близких к напряжению лавинного пробоя коллекторного перехода J2, следует учитывать эффект умножения носителей за­рядов (дырок и электронов) при прохождении ими обратно включенного перехо­да J2. Для упрощения можно предположить, что коэффициенты лавинного ум­ножения дырок Мр и электронов Мп одинаковы: Мр=Мп = М. С учетом это­го явления ток через коллекторный переход

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


а уравнение :(1) принимает вид

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА
                                                                                                                                              (1а)

где М — коэффициент лавинного умножения носителей зарядов, который явля­ется функцией напряжения, приложенного к переходу J2.

При напряжениях, подаваемых на прибор, пока коллекторный переход J2 остается включенным в обратном направлении, умножение зарядов отсутствует, т. е. М=1. Однако при приближении этого напряжения к значению Unрк в коллекторном переходе начинает проявляться процесс ударной ионизации ато­мов, происходит образование дополнительных носителей и коэффициент М ста­новится больше единицы.

Лавинное нарастание тока через р-n-р-n структуру начинается при напря­жении, которое обеспечивает выполнение равенства M(a1+a2) = 1. При этом ус­ловии оба составляющих транзистора переходят в режим насыщения, сопротив­ление между выводами А и K прибора падает до нескольких ом, что соответ­ствует сопротивлению трех последовательно соединенных р-n переходов, вклю­ченных в прямом направлении. Ток через прибор, который называется током в открытом состоянии (прямой или анодный ток), практически ограничи­вается лишь сопротивлением внешней цепи R (рис. 1,а,в), а падение напряже­ния на приборе, которое называется напряжением в открытом со­стоянии Uoc, составляет единицы вольт.


Такой режим соответствует откры­тому (проводящему) состоянию прибора с четырехслойной структурой.

Следует заметить, что при переходе составляющих транзисторов в режим насыщения напряжения их коллекторных переходов становятся примерно рав­ными нулю, и если в момент переключения коэффициент М>1, то после пе­реключения он становится равным единице.

Открытое состояние полупроводникового прибора с четырехслойной струк­турой сохраняется, пока через него протекает ток, обеспечивающий выполнение равенства а1 + а2=1 при малом значении напряжения на приборе. Наименьшее значение этого тша называется удерживающим током Iуд.

Второй способ переключения приборов из закрытого состояния в открытое основан на том, что в кремниевых транзисторах коэффициент а в сильной сте­пени зависит от тока эмиттера .(рис. 2,6) и быстро возрастает при увеличении этого тока. На эмиттерный ток транзистора можно воздействовать током базы; поэтому полупроводниковый прибор с четырехслойной структурой можно пере­вести в открытое состояние, если пропустить ток в цепи базы одного из со­ставляющих транзисторов, что приведет к увеличению тока эмиттера и соот­ветственно коэффициента а этого транзистора. Этот способ применяется для открывания трехэлектродных приборов. В дальнейшем мы будем рассматривать только такие трехэлектродные полупроводниковые приборы, у которых вывод управляющего электрода сделан из внутренней р-области структуры (р — база транзистора VT2 на рис. 1,6, в). В этом случае для включения прибора ток управляющего электрода Iу, подаваемый от дополнительного внешнего источни­ка, должен иметь направление, соответствующее направлению тока базы тран­зистора n-p-n(VT2), т. е. втекать в базу (рис. 1,0).

С учетом управляющего тока Iу ток, протекающий через средний коллек­торный переход J2, будет

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


и тогда уравнение (1) для тока через прибор несколько изменится:

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА
                                                                                                                                              (1б)



Рассмотрим процесс включения трехэлектродного прибора, между анодом в катодом которого действует напряжение Uпит, которое меньше, чем напряжение переключения, а в цепь управляющего электрода от внешнего источника подак ток Iу (рис. 1,в).

Механизм включения полупроводникового прибора с четырехслойной струк­турой посредством тока Iу можно пояснить, используя двухтранзисторную схе­му замещения (рис. 1,6, в). Протекая в цепи база — эмиттер транзистора VT2, ток Iу увеличивает эмиттерный и коллекторный токи этого транзистора и тем самым — коэффициент а2. Однако коллекторный ток транзистора VТ2 является базовым током второго транзистора и, протекая в цепи базы транзистора VT1, открывает последний. Эмиттерный и коллекторный токи транзистора VT1 воз­растают, растет и коэффициент a1. Коллекторный ток VT1, протекая в цепи базы транзистора VT2 и складываясь с током управляющего электрода Iу, приводит к дальнейшему росту эмиттерного и коллекторного токов транзистора VT2. Та­ким образом, благодаря действию внутренней положительной обратной связи пс току создаются условия для лавинного нарастания тока через р-n-р-n структу­ру (16) и прибор переключается в открытое состояние. Следует обратить внима­ние на то, что ток управляющего электрода Iу позволяет увеличить коэффици­ент а2 и таким образом начать процесс лавинообразного нарастания тока через р-n-р-n структуру независимо от значения напряжения UПИт, действующего меж­ду анодом и катодом прибора.

После включения прибора управляющий ток может быть сделан равным ну­лю. При этом благодаря действию положительной обратной связи составляющие транзисторы VTi и VT2 останутся в режиме насыщения, ибо ток базы, необхо­димый для насыщения каждого из транзисторов, обеспечивается коллекторным током дополняющего транзистора. В этом состоит принципиальное различие между полупроводниковыми приборами с четырехслойной р-n-р-n структурой и транзисторами (последние сохраняют открытое состояние, пока цепь базы пи­тается током от какого-либо внешнего источника).


Как и при первом способе отпирания, прибор остается в открытом состоянии, пока протекающий через него ток обеспечивает выполнение условия а1+а2»1.

Оба рассмотренных способа увеличения коэффициентов а используются на практике для переключения из закрытого состояния в открытое полупроводни­ковых приборов с четырехслойной структурой. Первый способ — для переключе­ния двухэлектродных приборов (динисторов), второй — для включения трехэлек­тродных приборов (тринисторов). При любом способе отпирания время перехо­да приборов из закрытого состояния в открытое составляет единицы микросе­кунд.

Открытый полупроводниковый прибор можно вновь перевести в закрытое состояние, если уменьшить протекающий через него ток так, чтобы стало вы­полняться условие (ai+a2)<l, или просто на короткое время разомкнуть внешнюю цепь, сделав прямой ток равным нулю.

Обратимся теперь к случаю, когда к аноду полупроводникового прибора с четырехслойной структурой приложено относительно небольшое напряжение об­ратной полярности, так называемое обратное напряжение (плюс к ка­тоду, минус к аноду), а ток в цепи управляющего электрода равен нулю. При подаче напряжения обратной полярности оба крайних (эмиттерных) перехода J1 и J3 четырехслойной полупроводниковой структуры включаются в обратном, а средний (коллекторный) переход J2 — в прямом направлениях. Обычно пере­ход Jз обладает очень слабой запирающей способностью, и поэтому все на­пряжение внешнего источника практически оказывается приложенным к перехо­ду J1. При этом через прибор и во внешней цепи будет протекать небольшой ток перехода J1, включенного в обратном направлении, который называется обратным током Iобр.

Если увеличивать обратное напряжение, то при некотором его значении произойдет электрический пробой перехода J1, что может привести к разруше­нию прибора. Обратное напряжение для полупроводниковых приборов с четы­рехслойной структурой строго ограничивается по значению, а для некоторых ти­пов приборов оно вообще недопустимо.



Итак, механизм действия полупроводниковых приборов с четырехслойной структурой (тиристоров) имеет резко выраженный ключевой характер. Приборы могут находиться только в одном из двух устойчивых состояний: «Закрыто» и «Открыто». Эта особенность приборов отражена в их названии: «тира» — по-гречески означает дверь.

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Рис. 3. Общий вид динистора типа КН102, тринисторов типов КУ101, КУ201, КУ202, КУ203 и гибридного тиристора КУ10б

Полупроводниковые приборы с четырехслойной р-n-р-n структурой изготав­ливаются из кремния, что обусловлено, во-первых, сильной зависимостью в кремниевой структуре коэффициентов а от протекающего тока, во-вторых, воз­можностью получить р-n переходы на более высокие пробивные напряжения по сравнению с германиевыми структурами и, в-третьих, более высокой допустимой рабочей температурой.

Каждый полупроводниковый прибор монтируется в герметичном металличе­ском корпусе, предохраняющем его от внешних воздействий. Динисторы и три­иисторы малой мощности имеют проволочные выводы электродов и выпускаются в корпусах, аналогичных соответственно корпусам выпрямительных диодов и транзисторов средней мощности (рис. 3). Тринисторы средней мощности выпус­каются в специальных корпусах, в которых поверхность монокристалла с про­водимостью р-типа припаяна к медному основанию корпуса, служащего анодом прибора. Корпус имеет болт (анодный вывод) для крепления к радиатору, ко­торый обеспечивает отвод тепла, выделяющегося в полупроводниковой структу­ре при работе прибора. Выводы катода и управляющего электрода — жесткого-типа и сделаны через керамический изолятор в верхней части корпуса.

Отечественной промышленностью выпускаются разнообразные полупровод­никовые приборы с четырехслойной структурой (главным образом тринисторы) , охватывающие широкий диапазон напряжений и токов. Внешний вид динистора. и некоторых типов тринисторов малой и средней мощностей отечественного про­изводства показан на рис. 3.

Динисторам и тринисторам малой и средней мощностей присваиваются обозначения, состоящие из следующих элементов.



Первый элемент обозначения — буква К ( или цифра 2) определяет, что исходным полупроводниковым материалом, из которого изготовлен прибор, слу­жит кремний.

Второй элемент обозначения — буква, указывающая подкласс прибора: Н — тиристоры диодные (динисторы), У — тиристоры триодные (тринисторы).

Третий элемент обозначения — цифра, определяющая мощность прибора. Диодные и триодные тиристоры малой мощности (с допустимым значением по­стоянного тока в открытом состоянии не более 0,3 А) обозначаются цифрой 1, а приборы средней мощности (с допустимым значением постоянного тока в открытом состоянии от 0,3 до 10 А) — цифрой 2.

Четвертый и пятый элементы обозначения — число от 01 до 99 определяет-порядковый номер разработки прибора.

Шестой элемент обозначения — буква русского алфавита от А до Я, ука­зывающая параметрическую группу в данном подклассе приборов.

Примеры обозначения: КН102А — динистор малой мощности, КУ101Е — три-нистор малой мощности, КУ201Л — тринистор средней мощности.

В радиолюбительской практике наибольшее применение находят дкнисторьр типа КН102, тринисторы типов К.У101, КУ201 и КУ202 с различными буквен­ными индексами. Могут встретиться устаревшие и снятые с производства при­боры, имеющие обозначения: динисторы Д227,. Д228 и тринисторы Д235, Д238: Основные параметры приборов Д227 и Д228 аналогичны или близки соответст-

вующим параметрам динисторов типа КН102. Приборы ти-лов Д235 и Д238 по значению прямого тока (постоянного я импульсного), а также по допустимой рассеиваемой мощ­ности эквивалентны тринисторам типов КУ201 и КУ202 .соответственно, однако максимальное прямое напряжение для приборов типа Д235 не превышает 100 В, а для при­боров Д238 150 В.

Условные графические обозначения динисторов и три-яисторов на электрических схемах показаны на рис. 4 .(ГОСТ 2.730 — 73*).

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Рис. 4. Условные графические обоз­начения динистора VS1 и тринистора VS2 на электри­ческих схемах

2. Вольт-амперные характеристики диодных и триодных тиристоров



Режим работы динисторов и тринисторов хорошо иллюстрируется их статическими вольт-амперными характеристиками, из которых можно получить представление об основных параметрах этих приборов. На рис. 5,а приведена типовая вольт-амперная характеристика динистора. Здесь по горизонтальной оси отложено напряжение V между его анодом и катодом (анодное напряжение), а по вертикальной — ток I, протекающий через прибор. Область характеристики при положительных анодных напряжениях образует прямую ветвь, а при отри­цательных — обратную ветвь характеристики. На характеристике можно выде­лить четыре участка, обозначенные на рис. 5,а арабскими цифрами, каждый из -которых соответствует особому состоянию четырехслойной полупроводниковой структуры.

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Рис. 5. Статические вольт-амперные характеристики динистора (а) и тринисто­ра (б)

Участок 1 характеристики соответствует закрытому состоянию (в прямом направлении) динистора. На этом участке сумма коэффициентов (a1 + a2)<l и через динистор протекает небольшой ток Iзc — ток прибора в закрытом состоя­нии. В закрытом состоянии сопротивление промежутка анод — катод прибора велико и обратно пропорционально значению тока Iзс. В пределах участка 1 увеличение анодного напряжения мало влияет на ток, пока не будет достигну­то напряжение (точка а характеристики), при котором в четырехслойной по­лупроводниковой структуре наступает лавинообразный процесс нарастания то--ка, и динистор переключается в открытое состояние. Прямое напряжение, соответствующее точке а характеристики, называется напряжением переключения Uпрк, а ток, протекающий при этом через прибор, — током переключения Iпрк [параметры режима, при которых М(a1 + a2) = 1].

В процессе переключения динистора в открытое состояние незначительное-увеличение тока сопровождается быстрым уменьшением напряжения на аноде прибора (участок 2), так как составляющие транзисторы переходят в режим-насыщения (рис. 1,6,0). Сопротивление динистора в пределах участка 2 стано­вится отрицательным.


Причину этого можно пояснить следующим образом. Произведение M(a1 + a2) в процессе переключения не может становиться боль­ше единицы, поскольку ток через динистор ,не меняет своего направления [см. равенство (1а)]. Таким образом, возрастание суммы a1 + a2 должно сопровож­даться снижением значения коэффициента умножения М, что возможно лишь при уменьшении напряжения на коллекторном переходе J2, т. е. на аноде ди­нистора.

Участок 3 вольт-амперной характеристики соответствует открытому состоя­нию прибора. В пределах этого участка все три р-n перехода полупроводнико­вой структуры включены в прямом направлении и относительно малое напря­жение, приложенное к прибору, может создать большой ток IОС в открытом со­стоянии, который при данном напряжении источника питания практически оп­ределяется только сопротивлением внешней цепи. Падение напряжения на от­крытом приборе — напряжение в открытом состоянии U0c, как и у обычного диода, незначительно зависит от прямого тока. Что касается значения наи­большего постоянного тока, который может пропускать прибор в этом режиме,, то, как обычно в полупроводниковых структурах, он определяется площадыо р-n перехода и условиями охлаждения прибора.

Динистор сохраняет открытое состояние, пока прямой ток IПр будет больше некоторого минимального значения — удерживающего тока Iуд (точка б на характеристике). При снижении тока до значения Iпр<IУд динистор скач­ком возвратится в закрытое состояние.

Таким образом, динистор может находиться в одном из двух устойчивых состояний. Первое (участок 1) характеризуется большим напряжением на при­боре (Uзс) и незначительным током (Iзc), протекающим через него, а второе (участок 5) — малым напряжением на приборе (Uoc) и большим током (Iос). Рабочая точка на участке 2 вольт-амперной характеристики находиться не мо­жет.

Участок 4 характеризует собой режим динистора, когда к его электродам приложено напряжение обратной полярности U0бр (плюс к катоду, минус к аноду), — непроводящее состояние в обратном направлении.


Как отмечалось в § 1, режим полупроводникового прибора с четырехслойной структурой при подаче напряжения обратной полярности определяется запирающими свойства­ми р-n перехода J1 (рис. 1,а). Таким образом, обратная ветвь вольт-амперной-характеристики фактически определяет режим перехода J1, включенного в об­ратном направлении, и имеет такой же вид, как и обратная ветвь характерис­тики обычного кремниевого диода. Обратный ток Iобр мал и примерно равен теку в закрытом состоянии. Если увеличивать (по абсолютному значению)-напряжение U0бр, то при некотором его значении Uпр0б, называемым обрат­ным напряжением пробоя (точка в на участке 4), наступает пробой перехода J1, который может привести к разрушению прибора. Поэтому пода­вать на полупроводниковые приборы с четырехслойной структурой даже на короткое время обратное напряжение, близкое к UПроб, недопустимо. Наибольшее обратное напряжение, которое может выдерживать прибор, указывается в его паспортных данных и при эксплуатации не должно превышаться.

Рассмотрим теперь семейство статических вольт-амперных характеристик тринистора, изображенное на рис. 5,6. Изменяемым параметром семейства явля­ется значение тока Iу в цепи управляющего электрода.

Вольт-амперная характеристика при токе Iу = 0, по существу, представляет собой характеристику динистора и обладает всеми особенностями, рассмотрен-ными выше. При подаче управляющего тока и его последующем увеличении (I'"у>I"у>I'у>0) участки 1 и 2 характеристики укорачиваются, а напряже­ние переключения снижается (U"apH<U'прк<UпpK). Каждая характеристика, соответствующая большему току Iу, располагается внутри предшествующей. Наконец, при некотором значении управляющего тока I'"У вольт-амперная ха­рактеристика тринистора вообще «спрямляется» и становится подобной прямой ветви характеристики обычного кремниевого диода (рис 5,6). Соответствующее значение управляющего тока называется отпирающим током управления I/"У=IУ.ОТ.


Физически это означает, что при токе управления Iу>Iу.0т сумма (a1 + a2)=1 и средний переход J2 полупроводниковой четырехслойной структу­ры тринистора всегда оказывается в режиме насыщения. Следовательно, при подаче такого тока управления тринистор переключается из закрытого состоя­ния в открытое при любом значении прямого (анодного) напряжения, находя­щегося в пределах 0<Uпр<U8б.

Управляющий электрод тринистора выполняет роль своеобразного «под­жигающего» электрода (аналогично действию сетки в тиратроне). Причем уп­равляющее действие этого электрода проявляется лишь в момент включения тринистора: закрыть прибор или изменить значение тока, протекающего через открытый прибор, изменяя ток управления, невозможно. (Исключение составля­ет специальный тип приборов — запираемые тиристоры, которые открываются положительным, а закрываются отрицательным сигналами на управляющем элек­троде [2].)

Выключить открытый тринистор можно, как и динистор, только сделав пря­мой ток меньше значения удерживающего тока Iуд (рис. 5,6).

Способ открывания тринисторов током управляющего электрода имеет существенные достоинства, так как позволяет коммутировать большие мощно­сти в нагрузке маломощным управляющим сигналом (коэффициент усиления по мощности составляет примерно 5-102...2-103).

Важной особенностью почти всех типов полупроводниковых приборов с че­тырехслойной структурой является их способность работать в импульсных ре­жимах с токами, значительно превышающими допустимые постоянные токи открытом состоянии. Так, например, динисторы КН102 при постоянном токе не более 0,2 А допускают импульсный ток до 10 А, тринисторы типов КУ203 и КУ216 способны пропускать импульсные токи до 100 А при допустимом посто­янном токе 5 А и т. д.

При описании принципов работы ключевых устройств на динисторах и три-нисторах, кроме статических вольт-амперных характеристик приборов (рис. 5), пользуются и нагрузочными характеристиками. Применительно к устройствам с динисторами и тринисторами нагрузочная характеристика (нагрузочная прямая или линия нагрузки) отражает зависимость прямого тока IПр от напряжения на аноде прибора Uup при наличии в анодной цепи сопротивления нагрузки Rн (рис. 6,а).


Ее аналитическое выражение

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


получают на основании второго закона Кирхгофа.

Нетрудно заметить, что это действительно уравнение прямой линии, отсе­кающей на осях координат отрезки Uпр — Uпит при Iпр = о и IПр = Uпит/Rн при Uпр = 0.

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Рис. 6. Схема тринистора с анодной на­грузкой в цепи постоянного тока (а) и на­грузочная характеристика (б)

На рис. 6,6 нагрузочная прямая изображена совместно с вольт-амперной характеристикой тринистора. Угол наклона линии нагрузки г|) прямо пропорцио­нален значению arctg 1/Rн и зависит от сопротивления нагрузки RH. Для нор­мальной работы ключевых устройств нагрузочная прямая должна пересекаться со всеми тремя участками прямой ветви вольт-амперной характеристики тринис­тора (или динистора), что обеспечивается соответствующим выбором напря­жения источника питания и сопротивления анодной нагрузки. На рис. 6,6 ли­ния нагрузки пересекается с вольт-амперной характеристикой, соответствующей току управляющего электрода Iу = 0 в точках K1, K2 и Кз. Точка Кь располо­женная на участке 1, характеризует устойчивое состояние устройства (рис. 6,а) в режиме «Выключено», когда тринистор закрыт. Точка Кз, расположенная на участке 3, характеризует устойчивое состояние в режиме «Включено» — тринис­тор открыт. Наконец, точка Кг на участке 2 соответствует неустойчивому со­стоянию устройства, в котором оно находиться не может, и поэтому переходит в одно из двух устойчивых состояний. На рис. 6,6 показано, что для открыва­ния тринистора при напряжении источника питания UПИт в цепь управляющего электрода необходимо подать ток Iy>I'У. При управляющем токе I'у участок 1 вольт-амперной характеристики укорачивается и в точке К' касается линии нагрузки. Вследствие нестабиль­ности этой точки тринистор скач­ком переключается в открытое со­стояние, определяемое устойчивой точкой Кз. В практических уст­ройствах для открывания трини­стора обычно выбирают ток управ­ляющего электрода равным Iу>IУ.ОТ, при этом вольт-амперная характеристика прибора спрямля­ется (рис. 5,6), что гарантирует устойчивое включение прибора не­зависимо от значения напряже­ния Uпит.



Если сопротивление анодной нагрузки Ян увеличивать, то угол наклона линии нагрузки -ф умень­шается, а рабочая точка Кз сме­щается вниз по участку 3 вольт-амперной характеристики прибора и в конце концов вообще выйдет за пределы этого участка. При таком сопротивлении анодной нагрузки прямой ток становится меньше значения удерживающего тока, и тринистор (или динистор) вновь возвратится в закрытое состояние.

Переход прибора из одного устойчивого состояния в другое всегда проис­ходит при кратковременном пересечении нагрузочной прямой с вольт-амперной характеристикой в одной точке противоположного состояния.

3. Основные электрические параметры приборов

Терминология, относящаяся к электрическим параметрам тиристоров, существенно отличается от терминологии, принятой в транзисторной технике. Определения и буквенные обозначения электрических параметров тиристоров ус­танавливаются ГОСТ 20332 — 84.

Электрические параметры тиристоров можно разделить на две группы: пер­вая характеризует пребывание приборов в одном из устойчивых состояний — закрытом или открытом, вторая — процесс переключения из одного какого-либо устойчивого состояния в другое. Рассмотрим некоторые основные параметры, которые непосредственно связаны с использованием приборов в радиолюбитель­ской практике.

Для лучшего понимания физической сущности параметров первой группы удобно воспользоваться статическими вольт-амперными характеристиками ти­ристоров (рис. 5).

1. Постоянное напряжение в закрытом состоянии (7ЗС — наибольшее прямое напряжение, которое длительное время может быть приложено к прибору и при котором он находится в закрытом состоянии, т. е. сохраняет состояние высокого сопротивления.

2. Постоянный ток в закрытом состоянии I3c — ток в закрытом состоянии при определенном прямом напряжении (обычно при напряжении изс).

3. Импульсное неповторяющееся напряжение в закрытом состоянии Uзс.нп — наибольшее мгновенное значение любого неповторяющегося напряжения на ано­де тиристора, не вызывающее его переключение из закрытого состояния в от­крытое.



4. Постоянное обратное напряжение U0бр — наибольшее напряжение, кото­ рое длительное время может быть приложено к прибору в обратном направ­лении и при котором он сохраняет состояние высокого сопротивления.

5. Постоянный обратный ток Iобр — обратный анодный ток при определен­ном обратном напряжении (обычно при напряжении U0бр).

Значения Uac, I3C, U0бР и I0бР в справочных данных указываются для оп­ределенной (обычно максимально допустимой) температуры окружающей среды, в которой работает прибор.

6. Обратное напряжение пробоя UПроб — обратное напряжение на приборе, при котором обратный ток через прибор становится больше допустимого зна­чения (точка в на рис. 5,а).

7. Напряжение переключения UПРк — прямое напряжение, соответствующее точке перегиба вольт-амперной характеристики (точка а на рис. 5,а).

8. Ток переключения IПРК — ток через прибор в момент переключения. Па­раметры Uпрк и IпРк указываются только для динисторов.

9- Удерживающий ток Iуд — наименьший прямой ток, который необходим для поддержания прибора в открытом состоянии (точка б на рис. 5,а).

10. Напряжение в открытом состоянии U0c — падение напряжения на при-боре, обусловленное током в открытом состоянии.

11. Ток в открытом состоянии Iос — наибольшее значение постоянного тока в открытом состоянии.

12. Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии Iос.и — наиболь­шая амплитуда периодически повторяющихся импульсов тока в открытом со­стоянии с определенной длительностью и скважностью.

13. Импульсное отпирающее напряжение U0т.и — наименьшая амплитуда импульса прямого напряжения с определенной длительностью фронта, обеспе­чивающая переключение динистора из закрытого состояния в открытое.

14. Постоянный отпирающий ток управления Iу.0т — наименьший постоян­ный ток управляющего электрода, необходимый для переключения тринистора из зaкрытого состояния в открытое.

15. Постоянное отпирающее напряжение управления Uу.01 — напряжение между управляющим электродом и катодом тринистора, соответствующее по­стоянному отпирающему току управления (измеряется непосредственно перед моментом отпирания прибора).



16. Импульсный отпирающий ток управления Iу.от.н — наименьшая ампли­ туда импульса тока управляющего электрода (с определенной длительностью), при которой обеспечивается переключение тринистора из закрытого состояния в открытое.

17. Импульсное отпирающее напряжение управления Uу.0т.и — значение амплитуды импульса напряжения на управляющем электроде (с определенной длительностью), соответствующее импульсному отпирающему току управле­ния.

18. Неотпирающее постоянное напряжение управления Uу.нот — наиболь­шее постоянное напряжение на управляющем электроде, не вызывающее пере­ключение тринистора из закрытого состояния в открытое.

19. Неотпирающий постоянный ток управления Iу.НОт — наибольший посто­янный ток в цепи управляющего электрода тринистора, не вызывающий его переключение из закрытого состояния в открытое.

20. Средняя рассеиваемая мощность РСР — сумма всех средних мощностей, рассеиваемых тиристором (указывается при определенной температуре окру­жающей среды или корпуса прибора).

Основные параметры, характеризующие процессы переключения (коммута­ции) динисторов и тринисторов из закрытого состояния в открытое и наобо­рот, следующие.

1. Время включения (динистора) tВкл — интервал времени между моментом, соответствующим уровню 0,1 амплитуды импульсного отпирающего напряжения, в моментом, когда прямой ток увеличивается до 0,9 его значения в открытом состоянии.

2. Время включения тринистора по управляющему электроду £у.Вкл — интер­вал времени между моментом, соответствующим уровню 0,1 амплитуды отпи­рающего импульса тока управления, и моментом, когда прямой ток увеличива­ется до 0,9 его значения в открытом состоянии.

3. Время выключения tвыкл — наименьший интервал времени между момен­том, когда прямой ток уменьшается до нуля (при переключении прибора из открытого состояния в закрытое), и моментом, когда повторно поданное прямое напряжение не возвращает прибор в открытое состояние.

4. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (du3c/dt)Kp — наибольшее значение скорости нарастания прямого напряжения, которое не вызывает переключение прибора из закрытого состояния в открытое.



5. Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии (di0c/dt)Kp — наибольшее значение скорости нарастания прямого (анодного) тока в процессе отпирания, при которой тринистор остается в рабочем состоянии.

Тиристоры рассчитаны для работы в достаточно широком диапазоне темпе­ратур окружающей среды. Например, динисторы типа КН102 — на интервал ра­бочих температур от — 40 до +70° С, тринисторы КУ101 — от — 55 до +85° С, КУ104 и КУПО — от — 40 до +85°С, КУ201 и КУ202 — от --55 до +70°С, КУ203 — от — 60 до +120° С. Однако некоторые параметры тиристоров, как и других полупроводниковых приборов, несколько меняются в диапазоне темпера­тур. Характер изменения у всех типов тиристоров одинаков, и эти закономерно­сти полезно знать при практическом использовании приборов.

С повышением температуры окружающей среды несколько возрастают ток в закрытом состоянии и обратный ток, что приводит к некоторому снижению на­пряжения переключения и обратного пробивного напряжения, соответственно уменьшается значение удерживающего тока. При отрицательных температурах увеличивается минимальное значение отпирающего тока управления, а также вре­мя включения по управляющему электроду тринистора, несколько возрастает на­пряжение приборов в открытом состоянии.

Параметры динисторов типа КН102, а также некоторых типов тринисторов малой и средней мощностей, выпускаемых отечественной промышленностью, при­ведены в приложении. Данные других типов тринисторов читатель может найти в справочниках [3, 4].

Параметры тиристоров, приводимые в справочных данных, позволяют произ­вести выбор прибора в зависимости от статических и коммутационных характе­ристик устройства, для которого он предназначен. При этом следует иметь в ви­ду, что использование тиристоров при напряжениях и токах, равных предельно допустимым значениям, нежелательно, так как в этом случае любые случайные колебания режима работы устройств могут привести к повреждению приборов.

Глава 2

 



СПОСОБЫ УПРАВЛЕНИЯ  ДИОДНЫМИ

И ТРИОДНЫМИ ТИРИСТОРАМИ

4. Общие замечания

В большинстве устройств динисторы и тринисторы фактически выпол­ няют функции двухпозиционных переключателей, которые характеризуются большим сопротивлением в закрытом и малым — в открытом состояниях. Основ­ные требования, предъявляемые к приборам в таких устройствах: надежность сохранения закрытого или открытого состояния и быстрый переход из одного состояния в другое при подаче переключающих (управляющих) сигналов.

В тех устройствах, для которых время коммутации не имеет решающего начеяия, управление динисторами и тринисторами осуществляется выключате­лями, кнопками, контактами реле и т. д. В различных импульсных устройствах переключение приборов производится посредством коммутирующих импульсов с достаточно крутым фронтом.

Прежде чем рассмотреть способы управления приборами, отметим основные положения, общие как для динисторов, так и для тринисторов.

Если прибор относительно продолжительное время находится в закрытом состоянии под прямым напряжением, то такой режим называется ждущим. Для надежного сохранения закрытого состояния в ждущем режиме прямое (анодное) напряжение на динисторе или тринисторе (напряжение источника пи­тания Uпит) должно быть

Uпит<Uзс,                                                                                                 (2)

где изс — наибольшее постоянное прямое напряжение (приводится в справоч­ных данных), при котором гарантируется длительное пребывание прибора в за­крытом состоянии.

Значение Uзс в справочных данных указывается для определенной положи­тельной температуры окружающей среды.

Если закрытый динистор или тринистор подвержен действию наводок, бросков (всплесков) напряжения такой полярности, что прямое напряжение на нем возрастает, то исходное напряжение источника питания должно соответст­вовать условию

Uпит+Uном<Uзс.нп.

где Uпом — напряжение помехи, возникающее на приборе; U3с.нп — наибольшее мгновенное значение неповторяющегося напряжения на аноде прибора, не вы­зывающее его переключение.



Вообще, для повышения надежности условие (2) целесообразно выполнять с некоторым запасом; так, если принять UПит = 0,7 U3c, то надежность увеличит­ся в несколько раз [3]. Необходимо отметить, что в ждущем режиме через по­лупроводниковый прибор с четырехслойной структурой, а следовательно, и во внешней цепи протекает ток закрытого состояния прибора IЗс, нагружающий источник питания.

После кратковременной подачи включающего сигнала тиристор останется в проводящем состоянии, если прямой (анодный) ток IПр будет больше удержи­вающего тока Iуд, т. е. условием сохранения открытого состояния прибора яв­ляется неравенство

IпР>Iуд.                                                                                                    (3)

Ток через прибор при данном напряжении источника питания Uпит практи­чески определяется сопротивлением анодной нагрузки Ra:

IпР = IH — (Uпит — Uoc)/RH = UПИТ/Rн,                                                    (4)

где Uос — падение напряжения на открытом приборе; обычно Uос<Uпит.

Значение удерживающего тока используемого типа динистора или тринисто-ра ограничивает максимальное сопротивление анодной нагрузки RB mar, при ко­торой прибор может находиться в открытом состоянии. Действительно, исполь­зуя неравенство (3), получаем

Rн max < (Uпит —Uос)/Iуд.

Приборы малой мощности имеют удерживающий ток 1 ... 25 мА, а приборы средней мощности 100... 300 мА.

Итак, для длительного пребывания тиристора в открытом состоянии макси­мальный постоянный ток нагрузки Iнmах не должен превышать значение до­пустимого постоянного тока прибора в открытом состоянии Iос, а минимальный ток нагрузки Iн min быть больше удерживающего тока, т. е.

Iнтах<Iос; Iн min>Iуд.                                                                                   (5)

Для выключения динистора или тринистора необходимо каким-либо спо­собом кратковременно снизить прямой (анодный) ток до значения меньшего, яем значение удерживающего тока, т.


е. выполнить условие

IпР<Iуд.                                                                                                    (6)

В момент выключения тринистора ток управляющего электрода должен быть равным нулю.

 

5. Включение диодных тиристоров

Прямое напряжение (напряжение источника питания UПит) на закры­том динисторе в общем случае выбирается из условия (2). Обычно для этих приборов паспортное значение U3C соответствует Uзc=0,5 Uпрк.

Переключение динистора из закрытого состояния в открытое производится по аноду, т. е. необходимо тем или иным способом увеличить прямое напряже-ние так, чтобы оно превысило напряжение переключения:

UпР>Uпрк.

Следует иметь в виду, что значение напряжения UПрк для динисторов од-ной и той же группы может существенно (в 1,5... 2 раза) отличаться от одного образца прибора к другому.

Наиболее часто динисторы используются в устройствах, где их переключе­ние производится импульсами напряжения соответствующей полярности. В свя­зи с этим в справочных данных динисторов обычно вместо значения UПрк при­водится амплитуда импульсного отпирающего напряжения U0т.и, при которой гарантируется выполнение условия

Uпит + U0т.и > Uпрк

и, следовательно, надежное переключение данного типа динистора независимо от значения напряжения UПит, выбранного из условия (2).

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Рис. 7. Способы переключения динисторов:

а — для отпирающего импульса положительной полярности; б — для отпирающего импульса отрицательной полярности; в — через импульсный трансформатор

Для динисторов типа КН102 значение Uот.и примерно в 3 ... 4 раза превы­шает напряжение ияс (см. приложение).

Переключение динисторов импульсами с достаточно коротким фронтом значительно повышает стабильность момента отпирания. Длительность отпираю­щих импульсов TOT обычно должна быть не менее нескольких микросекунд. На­пример, для динисторов типа КН102 — не менее 2 икс.

На рис. 7,а, б показаны способы переключения динисторов из закрытого со­стояния в открытое импульсами напряжения различной полярности с амплиту­дой Uвх.и>Uот.и.


Последовательное включение обычного диода VDit для ко­торого отпирающий импульс имеет обратное направление, увеличивает входное сопротивление устройств. При переключении динистора в проводящее состояние Обычный диод не препятствует прохождению тока через нагрузку. Такой диод выбирается по допустимому обратному напряжению в зависимости от«амшшту-ды входных импульсов Uвх.и и по максимальному току нагрузки.

Если амплитуда внешних входных импульсов недостаточна для переклгоче» ния динистора, то можно использовать схему с повышающим импульсным трансформатором Т1 (рис. 7,в). В этой схеме необходим диод VD2, который предотвращает прохождение тока от источника Uпит через нагрузку Rн и вто­ричную обмотку трансформатора, т. е. подключение нагрузки к источнику пи» тания при закрытом динисторе VS1.

6. Включение триодных тиристоров постоянным и импульсным токами

Тринисторы работают в режиме, при котором соблюдается условие (2), и переключаются из закрытого состояния в открытое током управляюще­го электрода.

По сравнению с динисторами тринисторы имеют значительные преимущест­ва, поскольку значение отпирающего тока управления не зависит от анодного напряжения и одинаковым управляющим сигналом можно коммутировать в широких пределах напряжения и токи, допустимые для выбранного типа прибо­ра. Кроме того, использование тринисторов более удобно и в схемном отноше­нии, так как не требуются какие-либо дополнительные меры для развязки це­пей входа (управления) и выхода (нагрузки).

В книге рассматриваются только тринисторы, у которых вывод управляю­щего электрода соединен с внутренней р-областью (рис. 1,а) и которые пере­ключаются из закрытого состояния в открытое при подаче на управляющий электрод сигнала положительной полярности по отношению к катоду.

Управляющий сигнал, отпирающий прибор, может представлять собой по­стоянный ток, полуволну (или часть ее) синусоидального напряжения или иметь форму импульсов сравнительно небольшой длительности.



Рассмотрим процесс включения тринистора при подаче в цепь управляю­щего электрода тока Iу>Iу.0т, начинающегося в некоторый момент времени fi. После подачи управляющего сигнала (тока) прибор переключается в откры­тое состояние не сразу — проходит некоторое время, прежде чем тринистор начинает открываться и ток через него достигает своего конечного значения, определяемого полным сопротивлением анодной цепи. На рис. 8 показаны от­пирающий сигнал (ток iу), длительность фронта которого для простоты при­нята равной нулю, и кривая нара­стания прямого тока, на которой отмечены две точки, соответствующие уровням 0,1 и 0,9 установившегося зна­чения тока IПр.

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Рис. 8. График, иллюстрирующий процесс включения тринистора

Время, необходимое для того, чтобы ток тринистора достиг уровня 0,1 уста­новившегося значения, называется вре­менем задержки по управляю­щему электроду tу.зд. Времен­ной интервал между уровнями 0,1 и 0,9 установившегося значения тока называ­ется временем нарастания прямого тока tНр. За точкой 0,9Iпр ток растет значительно медленнее, это — время распространения тока на всю проводящую площадь перехода. Уровни, по которым отсчитываются указанные интервалы, показаны на рис. 8.

Время включения по управляющему электроду тринистора £у.ВКл, которое приводится в справочных данных: tу.вкл = tу.вд+ tнр. Обычно tу.3д в несколько раз больше tНр и практически определяет время tу,вкл.

В течение времени задержки Iу.3д во внутренней р-области накапливается минимальный заряд, достаточный для развития лавинообразного процесса на­растания тока через структуру. В этом интервале времени через тринистор про­ходит небольшой ток, в основном определяемый током управляющего электро­да (16). Процесс включения среднего перехода J2 (рис. 1,а) только развивает­ся, и, если в течение промежутка времени tу.3д снять управляющий сигнал, три­нистор возвратится в закрытое состояние. Время задержки в некоторых преде­лах зависит от тока управления Iу: возрастает при уменьшении тока Iу и не­сколько сокращается при увеличении тока до значения импульсного отпираю­щего тока Iу.от.и.


При токах Iу>Iу.от.и задержка tу.зд практически не меняется.

В конце интервала времени tу. зя прямой ток достигает значения тока удер­жания, и в полупроводниковой структуре начинает развиваться лавинообразный процесс нарастания тока. Этот процесс развивается сначала в ограниченной-области среднего перехода J2, непосредственно прилегающей к управляющему электроду; поэтому на начальном этапе нарастания тока (начало интервала времени tНр) средний переход J2 проводит лишь в пределах небольшой зоны,, которая, однако, быстро расширяется и в конце концов захватывает всю пло­щадь перехода. При больших токах управления, имеющих фронт с крутизной несколько ампер в микросекунду, зона начальной проводимости среднего пере­хода увеличивается. Скорость распространения процесса включения в среднем (коллекторном) переходе зависит от конструкции управляющего электрода, структуры и составляет примерно 1 ... 10 мм/мкс.

Если скорость нарастания тока через открытый триниетор велика по срав­нению со скоростью расширения включившейся части перехода J2, то в послед­нем возникают точки с весьма высокой плотностью тока, что приводит к ло­кальному интенсивному разогреву этих участков полупроводниковой структуры, причем температура упомянутых участков может повыситься до температуры плавления кремния и разрушить прибор.

Наибольшая (критическая) скорость нарастания прямого тока указывается тз справочных данных некоторых типов тринисторов. Даже при небольших, но регулярно повторяющихся превышениях критического значения (di0cfdt)Kp в по­лупроводниковой структуре возникают остаточные изменения, и после некоторо­го времени работы прибор может выйти из строя.

Время распространения у тринисторов не нормируется. У приборов средней мощности, рассчитанных на работу с относительно большими токами (десятки ампер), время распространения обычно несколько превышает время нарастания, а у маломощных тринисторов — примерно равно ему. На время нарастания tar и время распространения значение управляющего тока практически не влияет.



Время включения по управляющему электроду £у.Вкл у маломощных три­нисторов составляет 1 ...2 мкс, у приборов средней мощности доходит до 10мкс. Приборы, специально предназначенные для импульсного режима работы, имеют меньшее значение ty.SKn. Например, у тринисторов КУ104 оно не превышает 0,3 мкс, а у тринисторов КУ216 0,15 мкс.

Для уверенного отпирания тринистора от источника постоянного тока зна­чения управляющего тока Iу и управляющего напряжения Uy выбираются из условий

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА
                                                                                                                                                             (7)

тде Iу.от — постоянный отпирающий ток управления; Uу.0т — постоянное отпи­рающее напряжение управления; Ру — допустимая средняя мощность, рассеи­ваемая на управляющем электроде.

В цепях постоянного тока тринисторы могут отпираться различными спосо­бами. Конкретный способ управления во многом зависит от функций устройст­ва. Один из наиболее простых способов, при котором источник анодного пита­ния Uпит одновременно используется и для получения необходимого отпираю­щего тока в цепи управляющего электрода, иллюстрируется схемами на рис. 9,а — в.

В схеме рис. 9,а триниетор VS1 включается сразу при подаче анодного пи­тания, если суммарное сопротивление анодной нагрузки и резистора R1 обес­печивает ток управляющего электрода

Iy=UnHT/(RH+Rl)>Iy.OT.

После открывания прибора напряжение на аноде снижается до значения Uoc, все напряжение источника питания практически оказывается приложенным к на-трузке и в цепи управляющего электрода начинает протекать незначительный ток, равный Iу = Uoc/R1.

Для отпирания тринистора в устройстве, показанном на рис. 9,6, необходи­мо кратковременно нажать кнопку S1. Если при этом значение тока Iу, протекающего в цепи управления, удовлетворяет условию (7), то триниетор пере­ключится в открытое состояние. Обычно для надежного включения достаточна через цепь управляющего электрода пропустить ток Iу= (1 ... 1,1)Iу.от, для че­го сопротивление резистора R1 (рис. 9,6), ограничивающего ток управляющего электрода, рассчитывается по формуле



R1 = (0,9... 1)Uпит/Iу.от.

Для схемы рис. 9,а рассчитанное по формуле (8) сопротивление резистора Ri должно быть уменьшено на значение сопротивления анодной нагрузки RH.

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Рис. 9. Способы включения тринисторов от источника постоянного то-ка

Резистор R2 (рис. 9,6) обеспечивает гальваническую связь управляющего электрода с катодом, что увеличивает устойчивость работы тринистора в жду­щем режиме (особенно при повышенной температуре окружающей среды). Ре­комендуемое сопротивление этого резистора указывается в справочных данных некоторых типов тринисторов. Обычно у маломощных приборов оно составляет несколько сотен ом, а у приборов средней мощности — примерно 50... 100 Ом.

В схеме рис. 9,в триниетор открывается и через нагрузку начинает про­ходить ток при размыкании выключателя S1. Такой способ отпирания тринисто­ра менее экономичен, чем два предыдущих, поскольку от источника питания по­стоянно потребляется ток, равный Unиm/R1; при закрытом приборе он протекает через замкнутые контакты Si, а при размыкании выключателя — через цепь уп­равляющий электрод — катод тринистора. Сопротивление резистора R1 рассчи­тывается по формуле (8).

Широкое распространение получили импульсные способы управления три-нисторами, которые являются наиболее экономичными и позволяют фиксировать момент включения прибора с высокой точностью. Фактически схема рис. 9,6 также иллюстрирует импульсный способ отпирания — длительность управляю­щего импульса равна времени, пока замкнуты контакты кнопки S1. При импульс­ном управлении используются отпирающие импульсы тока Iу.0т.и, амплитуда которых может быть значительно большей постоянного отпирающего тока Iу.от, но, несмотря на это, рассеиваемая средняя мощность на управляющем электро­де будет мала, поскольку включающие импульсы действуют в течение корот­кого интервала времени.

Соотношениями (7) можно руководствоваться и при импульсном управле­нии, если длительность отпирающих импульсов не менее примерно 100 мкс.


При более коротких импульсах ток управляющего электрода следует увеличивать. В справочных данных большинства типов тринисторов приводится значение ампли­туды отпирающих импульсов тока управления Iу.от.и, обеспечивающее пере­ключение прибора из закрытого состояния в открытое при любом анодном на­пряжении не выше максимально допустимого, а также значение импульсного отпирающего напряжения на управляющем электроде Uу.0т.м. Таким образом, при импульсном способе отпирания амплитуды импульсов тока управления IУ.И и управляющего напряжения Uу.и должны выбираться по соотношениям

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА
                                                                                                                               (9)

где Iу.и max и Uу.и max — максимально допустимые импульсные значения тока и напряжения управляющего электрода соответственно; Р7.я — допустимая им­пульсная мощность на управляющем электроде.

Длительность импульсов Iу.от.н и Uу.от.и, как правило, указывается в спра­вочных данных тринисторов. Следует помнить, что длительность отпирающих (управляющих) импульсов ту всегда должна превышать время включения tвкл прибора, т. е. ту>tВкл. Минимальное значение ту зависит от характера анодной нагрузки, так как за время ту прямой ток должен успеть возрасти до уровня, большего тока удержания; при чисто активной нагрузке достаточно иметь ту=(1,5... 2)tу.вкл.

Для открывания тринисторов приемлемы импульсы положительной поляр­ности любой формы. Однако в тех случаях, когда необходимо получить мини­мальное и стабильное (в диапазоне температур) время включения, а также уменьшить рассеиваемую на приборе мощность при переключении, следует ис­пользовать отпирающие импульсы с амплитудой, близкой к значению Iу.и max, и крутизной фронта около 3... 5 А/мкс. При таких параметрах управляющего импульса и при постоянной окружающей температуре нестабильность момента отпирания от импульса к импульсу не превышает сотых долей микросекунды.

Некоторые способы импульсного отпирания тринисторов показаны на рис. 10.


В схеме рис. 10, а емкость разделительного конденсатора Ci должна быть такой, чтобы к концу действия включающего импульса ту в цепи управляюще­го электрода поддерживался бы достаточный для открывания прибора ток.

Обычно емкость конденсатора С1 выбирается в пределах 0,01 ... 0,05 мкФ. Диода VDi предотвращает появление отрицательного импульса на управляющем элект­роде при разряде конденсатора после окончания импульса ту.

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Рис. 10. Способы включения тринисторов импульсным сигналом

Связь источника включающих импульсов с управляющим электродом три-ямстора часто выполняется через импульсный трансформатор (T1 на рис. 10,б). Трансформаторная связь имеет ряд преимуществ: обеспечивает развязку уп­равляющего электрода тринистора с источником управляющих импульсов (тран­зисторный усилитель VTi на рис. 10,6); позволяет изменять полярность и повы­шать (или уменьшать) амплитуду импульсов, подаваемых на управляющий? электрод; обеспечивает гальваническую связь управляющего электрода с като­дом прибора.

Для ограничения амплитуды тока Iу.и до безопасного для тринистора значе­ния в цепь управляющего электрода (при необходимости) следует включать ре­зистор (Ri на рис. 10,а,б), сопротивление которого рассчитывается по формуле-

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА
                                                                                                                          (10)

где Uвх.и — амплитуда входного управляющего импульса.

В ряде устройств необходимо обеспечить включение тринистора при неко­тором фиксированном уровне входного сигнала. Для этого в цепь управления-тринистора можно последовательно включить ключевой полупроводниковый при­бор (стабилитрон, динистор), имеющий постоянный порог срабатывания. При­мер цепи управления с использованием стабилитрона VD{ показан на рис. 10.в. Тринистор VS1 с цепью управления такой структуры всегда будет включаться в те моменты, когда внешнее входное напряжение Uвх.и достигнет напряжения-пробоя Ucт стабилитрона VD1. Последовательный резистор R} ограничивает ток управляющего электрода (ставится при необходимости).



Параметры стабилитрона должны обеспечивать требуемый режим цепи уп­равления тринистора, т. е. ток стабилизации Iст и напряжение стабилизации-Uст должны удовлетворять условиям

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА
                                                                                                          (11)

где UR1=IуR1 — падение напряжения на ограничивающем резисторе в цепи уп­равления.

В цепях управления тринисторов малой мощности можно использовать, на­пример, стабилитроны типов Д814А-Б, КС156А, КС168А и др., а в цепях три-нисторов средней мощности — типа Д815Д-Ж, а также динисторы типа КН102А-В.

В качестве источников, формирующих управляющие импульсы амплитудой-до нескольких ампер и длительностью примерно до 10...50 мкс, могут быть использованы различные релаксационные генераторы на обычных и однопере-ходных транзисторах (см. § 8). Часто импульсное управление тринисторами осуществляется с помощью ЯС-цепей, в которых в качестве включающего сиг­нала используется импульс тока разряда конденсатора через цепь управляюще­го электрода.

Если в устройстве, где используется маломощный тринистор, в цепи уп­равления возникают импульсные помехи, амплитуда которых превышает значе­ние неотпирающего импульсного напряжения управления Uу.нот.и, то может произойти ложное включение прибора. Для повышения помехоустойчивости не­обходимо свести к минимуму индуктивные и емкостные связи между силовой и управляющей цепями, что достигается рациональным монтажом цепи управле­ния. Хорошую помехозащищенность имеет цепь управления тринистора, пока­занная на рис. 10,в, если уровень помехи меньше напряжения пробоя стабили­трона, т. е. uпом<Uст.

 

7. Включение триодных тиристоров переменным током.

Фазовое управление

Управление тринисторами в цепях переменного тока имеет ряд осо­бенностей. Основное условие, которое необходимо выполнять при любом сно-собе управления приборами, состоит в том, что отпирающие сигналы должны подаваться на управляющий электрод только в те моменты, когда напряжение на аноде положительное относительно катода, т.


е. управляющие сигналы долж­ны быть синхронизированы с частотой сети переменного тока. Кроме того, на­пряжение на управляющем электроде никогда не должно становиться отрица­тельным по отношению к катоду, если такой режим не разрешен для выбран­ного типа прибора. В устройствах, где есть вероятность возникновения отрица­тельного напряжения на управляющем электроде тринистора, для ограничения этого напряжения следует использовать последовательно или параллельно включенные диоды.

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Рис. 11. Отпирание тринисторов в цепях переменного тока и способы фазового управления:

а — схема с регулированием угла задержки до 90; б — графики, иллюстрирующие принцип регулирования; в — схема с фазосдвигающей RС-цепью

На рис. 11,а показан простой способ получения управляющего сигнала, при котором, как и на постоянном токе (рис. 9,а), используется напряжение источ­ника анодного питания. Управляющий электрод тринистора через постоянный резистор RI и переменный R2 подсоединен к аноду, и таким образом обеспечивается нужная полярность напряжений на аноде и на управляющем электро­де относительно катода. Действительно, когда на аноде действует положитель­ная полуволна напряжения источника питания u=Umsinwt, то потенциал уп­равляющего электрода относительно катода также положителен. При закорочен­ном резисторе R2 тринистор отпирается в течение каждого положительного по­лупериода напряжения на аноде в момент, когда мгновенное значение анодного напряжения «Пр достигает значения, при котором будет выполняться условие

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Если сопротивление резистора Ri сравнительно невелико, то прибор включается в самом начале положительного полупериода анодного напряжения и остается открытым до конца этого полупериода. При открытом приборе напряжение на его аноде падает до значения U0c, напряжение источника питания оказывается приложенным к нагрузке, управляющий ток резко уменьшается и становится равным Iy = Uoc/Ri (рис. 11,б).

Диод VDi защищает цепь управляющего электрода тринистора от обратно­го напряжения при отрицательных полупериодах напряжения на аноде.


Мак­ симально допустимое обратное напряжение этого диода должно превышать, амплитудное значение напряжения источника питания Um.

Если во время положительного полупериода напряжения на аноде в ин­тервале 0... 180° изменять момент включения тринистора, то ток через прибор и нагрузку будет протекать только в течение какой-то определенной части по­лупериода (рис. 11,6). Так, при небольшой задержке прибор может быть от­крыт в начале положительного полупериода напряжения, при больших задерж­ках — в любой точке полупериода и, наконец, — в самом его конце. Тем самым можно регулировать средний за период ток, проходящий в нагрузке, от макси­мального значения почти до нуля. Такой способ управления получил название-фазового регулирования (или фазового управления), посколь­ку при этом изменяется сдвиг фазы между началом положительного полуперпо-да анодного напряжения и началом протекания прямого тока (рис. 11,6). Обыч­но фазовый сдвиг ф, называемый углом отпирания или углом за­держки, выражается в градусах или радианах. В реальных устройствах зна­чение ф может регулироваться примерно от 5 до 170°.

Простейшая схема устройства, позволяющего производить фазовое управ­ление тринистором, приведена на рис. 11,а. Здесь изменение угла отпирания осу­ществляется переменным резистором R2. Сопротивление резистора R1 должно обеспечивать включение тринистора в самом начале полупериода (резистор R?., закорочен) и может быть рассчитано по формуле

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА
                                                                                                                           (12)

где Uт — амплитуда напряжения источника питания.

Если резистор Ri рассчитан по формуле (12), то при R2 = Q тринистор отпи­рается с углом задержки ф=5°. При включении резистора R2 и последующем увеличении его сопротивления тринистор будет открываться при больших зна­чениях анодного напряжения, т. е. с большими углами задержки ф, пока, нако­нец, при некотором значении сопротивления R2 прибор не откроется в тот мо-



мент, когда анодное напряжение станет равным амплитудному значению напря­жения источника. Управляющий ток в этот момент

Iу = Um/(R1 + R2)>Iу.от

и угол задержки ф станет равным 90°. Очевидно, что большего угла задержки в цепи, показанной на рис. 11,а, получить невозможно. Поэтому такое устрой­ство позволяет изменять угол задержки примерно от 5 до 90° и обеспечивает возможность регулировки среднего тока в нагрузке в пределах 100... 50% мак­симального значения.

Более широкие пределы регулирования можно получать, если на управляю­щий электрод подавать напряжение, сдвинутое по фазе относительно анодного напряжения. Пример простой схемы с фазосдвигающей ЯС-цепью показан на рис. 11,в. Напряжение на управляющий электрод тринистора VSi подается с конденсатора С1 через диод VD1. При отрицательном полупериоде анодного на­пряжения конденсатор С1 через диод VD2, резистор R{ и сопротивление нагруз­ки Rн заряжается до напряжения Um (полярность этого напряжения показана на схеме в скобках). Во время положительного полупериода конденсатор C1 че­рез резисторы Ri, Rz и сопротивление нагрузки перезаряжается от напряжения — Uт до некоторого положительного напряжения Uc1 (полярность которого на рис. 11,0 показана без скобок), достаточного для открывания тринистора. Вре­мя перезаряда конденсатора определяется постоянной времени (R1+R2)C1. Из­меняя постоянную времени (с помощью переменного резистора R2), можно в широких пределах регулировать момент включения тринистора относительно начала положительного полупериода анодного напряжения, т. е. менять угол задержки ф. Пределы изменения угла задержки могут быть примерно 5 ... 170°, что позволяет регулировать средний ток в нагрузке от максимального значения почти до нуля.

В рассмотренных схемах (рис. 11,а, в) используется так называемый ампли­тудно-фазовый способ управления. При таком способе на управляющий элект­род тринистора поступает напряжение, которое относительно медленно достига­ет уровня, необходимого для включения прибора.


Амплитудно- фазовый способ управления характеризуется невысокой стабильностью момента включения три­нистора (угла отпирания), так как этот момент зависит от минимального зна­чения отпирающего тока Iу.0т min, который, в свою очередь, заметно изменяется при колебаниях температуры и смене тринистора.

Значительно лучшую стабильность угла отпирания имеет импульсно-фазо-вый способ управления, при котором включение тринистора осуществляется им­пульсами, задержанными относительно начала положительного полупериода напряжения на аноде. Для формирования управляющих импульсов использует­ся комбинация из фазосдвигающей RС-цепи и ключевого прибора (динистора, стабилитрона и др.). Некоторые схемы такого типа описаны в следующих гла­вах.

 

8. Генератор управляющих импульсов на однопереходном транзисторе

В цепях управления тринисторами широко используются различные ге­нераторы импульсов. Простые и надежные генераторы управляющих импульсов могут быть выполнены на однопереходных транзисторах (ОПТ). Такие генераторы используются во многих устройствах, которые описываются в следующих главах, поэтому рассмотрим их работу подробнее.

Однопереходным транзистором называют трехэлектродный полупроводни­ковый прибор, обладающий входной вольт-амперной характеристикой с ярко вы­раженным участком отрицательного сопротивления (рис. 12,с). Однопереходный транзистор, схематическое устройство которого показано на рис. 12,6, имеет три вывода: эмиттер (Э), база 1 (Б,) и база 2 (Б2). Однопереходные транзисто­ры изготавливаются из кремниевого стержня n-типа, на торцах которого сделаны выводы Б1 и Б2. На некотором расстоянии от конца стержня с выводом Б2 со-вдают полупроводниковую область р-типа, и, таким образом, образуется р-n пе­реход, единственный в такой структуре, откуда и происходит название данного прибора. Вывод от р-области служит эмиттером Э. На рис. 12,в показано ус­ловное графическое обозначение ОПТ.

Если на выводы Б1 и Б2 подать напряжение UБ1Б2 , полярность которого показана на рис. 12,6, а напряжение на эмиттере Uэ установить равным нулю, то переход эмиттер — база 1 окажется включенным в обратном направлении и вход ОПТ будет находиться в закрытом состоянии.


В таком режиме участок стержня л-типа между базами Б{ и Б2 обладает сопротивлением RБ1Б2 в не­сколько килоом и имеет линейную вольт-амперную характеристику, как обычный резистор. При подаче положительного напряжения на эмиттер Uэ>0 запираю­щее напряжение на переходе уменьшается, и при некотором определенном на­пряжении Uэ=Uэвкл переход включается в прямом направлении и сопротив­ление между эмиттером и базой 1 уменьшается до 5... 20 Ом. Вход ОПТ пе­реключается в открытое состояние. Для открывания прибора эмиттерный ток должен быть не менее определенного значения, которое называется т о к о ш включения IЭвкл (рис. 12,а).

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Рис. 12. Однопереходный транзистор:

в — входная вольт-амперная характеристика; б — принцип устройства; в — основная схема релаксационного генератора на однопереходном транзисторе; г — формы кривых напряже­ний на эмиттере и базе 1

Отпирающее напряжение на эмиттере Uэ Вкл изменяется пропорционально междубазовому напряжению:

UЭвкл = n UБ1Б2,

где n — коэффициент передачи, который не зависит ни от напряжения пита­ния, ни от окружающей температуры и определяется только конструкцией са­мого прибора. Чтобы вновь закрыть однопереходный транзистор (при наличии нагрузки в цепи базы 1), необходимо уменьшить эмиттерный ток до некоторого значения, называемого током выключения IЭ выкл.

Отечественной промышленностью выпускаются однопереходные транзисторы типов КТ117А — КТ117Г. Основные параметры этих приборов:

Междубазовое напряжение UБ1Б2......<30 В

Коэффициент передачи n.........0,5...0,85

Ток включения 1Э ВКЛ..........0,5...20 мкА.

Междубазовое сопротивление RБ1Б......4...9 кОм

Ток выключения IЭ выкл .........1...12 мА

Средний ток эмиттера IЭ........<50 мА

Амплитуда имлульса тока эмиттера IЭи . . . . sg: I A

В цепях управления тринисторами ОПТ работает в схеме релаксационно­го генератора (рис. 12,в), принцип действия которого сводится к следующему. После подачи напряжения питания Unm конденсатор Ci начинает заряжаться через резистор R1. Напряжение с конденсатора, которое нарастает по экспо­ненте, подается на эмиттер ОПТ.


В момент, когда это напряжение достигает порога отпирания uс1 = UЭвкл, ОПТ переключается в открытое состояние и конденсатор C1 разряжается через цепь эмиттер — база 1 и резистор Rs- По мере разряда конденсатора эмиттерный ток и напряжение на эмиттере ОПТ уменьшаются. Когда так разряда конденсатора снижается до значения Iэ выкл, ОПТ выключается. Затем конденсатор начинает вновь заряжаться, и цикл повторяется.

Напряжение на эмиттере «э будет иметь пилообразную форму, а на ре­зисторе Rз, включенном в цепь базы 1, получаются импульсы положительной полярности (рис. 12,г) с амплитудой I3Rs, которые используются для управле­ния тринистором. Резистор R3 также ограничивает ток разряда конденсатора Ci до безопасного для ОПТ значения.

Сопротивление резистора Rt должно обеспечивать автоколебальный режим,-генератора и выбирается из условия

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА
                                                                                                                      (13)

Если пренебречь временем разряда конденсатора Ci, то период повторения импульсов генератора будет определяться продолжительностью заряда конден­сатора до напряжения UЭвкл и рассчитывается по формуле

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА
                                                                                                                                                 (14)

При значении n = 0,63, которое может считаться примерно номинальным, получим T=R1C1.

Генераторы с однопереходными транзисторами попользуются для форми­рования импульсов с частотами повторения до нескольких десятков килогерц.

Если выход генератора соединен непосредственно или через резистор с уп­равляющим электродом тринистора, то сопротивление резистора R3 должно ог­раничиваться таким образом, чтобы падение напряжения на нем, обусловлен­ное междубазовым током при закрытом ОПТ, не превышало неотпирающего (.напряжения управления тринистора, т. е. не вызвало бы ложного включения ярибора. С учетом этого требования сопротивление резистора R3 следует вы­бирать из условия



ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА
                                                                                                                               (15)

Обычно сопротивление резистора Rs выбирается равным примерно 100 Ом.

Если выполнить условие (15) не удается, то импульс с генератора может быть подан на управляющий электрод тринистора с помощью емкостной или трансформаторной связи. В последнем случае первичная обмотка импульсного трансформатора включается в цепь базы 1 вместо резистора R3.

Коэффициент передачи т], а следовательно, и напряжение включения UЭвкл мало зависят от температуры. Однако если необходима высокая стабильность напряжения включения, то для термостабилизации UЭвкл в диапазоне темпе­ратур последовательно в цепь базы 2 включается резистор (R2 на рис. 12,«). Сопротивление этого резистора можно определить из соотношения

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА
                                                                                                                             (16)

Обычно сопротивления резисторов R2 и R3 значительно меньше междуба­зового сопротивления (т. е. R2<RБ1Б2 и R3<RБ1Б2), и поэтому напряже­ние включения почпрежнему линейно зависит лишь от междубазового напря­жения однопереходного транзистора Uэ вкл=nUБ1Б2 =nUпит.

В настоящее время освоен выпуск гибридных тиристоров типа КУ106. У этих приборов в общем корпусе смонтированы маломощный тринистор и одно-переходный транзистор. База 1 однопереходного транзистора непосредственно соединена с управляющим электродом тринистора внутри корпуса. Парамет­ры гибридных тиристоров КУ106 приведены в приложении.

 

9. Скорость нарастания прямого напряжения

Если прямое напряжение на закрытом полупроводниковом приборе с четырехслойной структурой нарастает со слишком большой скоростью du3C/dt, то прибор может переключиться в проводящее состояние без управляющего сигнала, т. е произойдет неконтролируемое открывание. Переключение в этом случае происходит при прямом напряжении, меньшем чем UПрК. Такое явление называется переключением за счет «эффекта du3C/dt».



Самопроизвольное переключение за счет «эффекта du3cfdt» может произой­ти, если в устройствах (особенно импульсных), где используются тиристоры, в Чепях анодного питания возникают ревкие скачки (всплески) напряжения, импульсные помехи, а также различного рода колебания в цепях переменного то­ка. Кроме того, такое переключение может наблюдаться и при переходных ре­жимах, например в момент включения источника питания при резкам возра­стании напряжения на аноде закрытого прибора. Чувствительность приборов к «эффекту du3C/dt» возрастает с увеличением температуры.

Неконтролируемое переключение за счет «эффекта du3c/dt» является неже­лательным явлением, нарушающим нормальную работу устройств. Отметим, что «эффект du3c/dt», как полезный, используется при импульсном открывании ди-нисторов, в то же время для тринисторов такое переключение, неоднократно повторяющееся, может послужить причиной выхода приборов из строя.

Рассмотрим механизм этого явления. На рис. 13,а изображен полупровод­никовый прибор с четырехслойной структурой с учетом емкости Сг среднего пе­рехода, которую, как это видно из рис. 13,6, можно представить суммой емко­стей коллекторных переходов составляющих транзисторов. Как отмечалось ра­нее, при закрытом приборе прямое напряжение практически оказывается при­ложенным к среднему переходу J2, включенному в обратном направлении. При возрастании анодного напряжения емкость С2 заряжается током icz, протека­ющим через два крайних перехода J1 и J3, включенных в прямом направлении. Емкости переходов J1 и J3 шунтируются соответственно малыми сопротивлени­ями этих переходов и по этой причине на рис. 13,с, б не показаны. Ток заря­да емкости С2 одновременно является током базы обоих составляющих тран­зисторов (рис. 13,е) и играет ту же роль в открывании, что и ток управления. При некотором значении зарядного тока может произойти возрастание коэффи­циентов передачи а, которое будет достаточным для перехода транзисторов VT1 и VT2 в режим насыщения, т.


е. для переключения четырехслойной полу­проводниковой структуры в открытое состояние.

Зарядный ток емкости С2 :

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


зависит от емкости С2 и от скорости нарастания напряжения du3c/dt на этой емкости, т. е. на аноде прибора. Следовательно, достаточно быстрое нарастание анодного напряжения даже при относитель­но небольшом прямом напряжении может довести ток ic2 до критического значения и включить прибор.

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Рис. 13. Схематическое устройство полупроводникового прибора с четырехслой-пой структурой с учетом емкости среднего перехода (а) и представление при­бора в виде двухтранзисторной схемы (б, в)

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Рис. 14. Схема подсоединение конденсатора для уменьшений значения du3C/dt на аноде три -нистора

В некоторых типах тринисторов влия­ние «эффекта du3C/dt» снижают путем шун­тирования эмиттерного перехода в самой полупроводниковой структуре, что приводит к возрастанию значения тока управления Iу.от.

В ряде случаев действие «эффекта duac/dt» удается уменьшить схемными спо­собами. Для снижения скорости нарастания анодного напряжения между анодом и ка­тодом тринистора, если это возможно, под­ключается небольшой конденсатор. Способ подсоединения такого конденсатора Ci по­казан на рис. 14. При возрастании напряжения на аноде тринистора конденсатор C1 заряжается через сопротивление нагрузки Ra и диод VDit и тем самым сни­жается скорость нарастания прямого напряжения, которая в этом случае опре­деляется постоянной времени RнC1.

При известном значении сопротивления нагрузки Rs емкость конденсатора C1 можно определить из формулы

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


После открывания тринистора VS1 конденсатор С1 разряжается через не­го и резистор R1, который ограничивает разрядный ток до допустимого для тринистора значения. Сопротивление резистора R1 выбирается из условия

R1>UПИТ(Ioc.n—IH)                                                                                   (17)

где Iн — ток нагрузки.

Провода, соединяющие конденсатор С1, диод VD1 и тринистор VS1, долж­ны быть по возможности короче, чтобы свести к минимуму влияния паразит­ных индуктивностей.



Для некоторых типов тринисторов влияние емкостного тока удается сни­зить включением конденсатора емкостью примерно 1000... 2000 пФ между уп­равляющим электродом и катодом прибора (на рис. 14 конденсатор С' пока­зан штриховой линией).

Устойчивость работы тринистора к «эффекту du3C/dt» (особенно при повы­шенных температурах) улучшается, если сопротивление по постоянному току внешней цепи между управляющим электродом и катодом не превышает нес­кольких десятков ом. Наконец, для повышения устойчивости на управляющий электрод можно подать небольшое обратное смещение (обычно до 1 В), если это допустимо для используемого типа прибора.

В справочных данных тринисторов, предназначенных для импульсного ре­жима работы, указывается критическая скорость нарастания напряжения в за­крытом состоянии (например, для приборов типа КУ203 она составляем 20 В/мкс, для приборов типа КУ216 50 В/мкс), которая не должна превш-шаться при использовании приборов.

 

10. Выключение диодных и триодных тиристоров

Под процессом выключения тиристора понимают переход прибора из открытого (проводящего) состояния в закрытое (непроводящее). Однако время спада прямого тока до нуля не определяет еще полного восстановления закры­того состояния прибора. До повторной подачи на анод полного прямого на­пряжения необходима дополнительная выдержка, чтобы концентрация остаточ­ных зарядов в базовых областях снизилась до минимума. Таким образом, дли­тельность процесса выключения (закрывания) тиристора разделяется на два интервала: время спада tc прямого тока до нуля и время восстановления за­крытого состояния tB. Время восстановления tв определяется скоростью расса­сывания остаточных зарядов в базовых областях и зависит от ряда факторов. Так, например, время восстановления увеличивается с повышением окружающей температуры (температуры перехода), с ростом прямого тока через прибор пе­ред моментом его выключения, при увеличении скорости опадания прямого то­ка, т.


е. уменьшении времени tc. При подаче на прибор в момент выключения обратного напряжения время восстановления несколько сокращается. Время выключения tвыкл, которое приводится в справочных данных дини-сторов и тринисторов, определяет время восстановления запирающих свойств приборов в прямом направлении, т. е. tвыкл = tс+tв. На прибор в течение про­межутка t<tвыкл нельзя повторно подавать прямое напряжение, поэтому при использовании приборов в различных устройствах время, которое предоставля­ется для восстановления их управляемости, должно быть всегда больше, чем время выключения.

Время выключения у маломощных приборов составляет примерно 3... 40 мкс, а у приборов средней мощности 15... 150 мкс.

Продолжительность процесса выключения наряду со временем включения характеризует быстродействие приборов, а так как время выключения пример­но в 5... 30 раз больше времени включения, то именно значение £Выкл и огра­ничивает практически максимальную частоту коммутации, при которой прибор может быть использован.

Для выключения динисторов и тринисторов необходимо выполнить усло­вие (6), т. е. перевести прибор в режим, при котором ток через прибор стано­вится меньше удерживающего тока или равным нулю (для тринисторов в этом случае управляющий ток Iу должен быть равен нулю).

Существуют два основных ,метода выключения приборов:

1) снижением прямого тока до значения, меньшего Iуд, или размыканием внешней цепи;

2) кратковременной подачей на анод прибора обратного напряжения. Способы выключения приборов в устройствах, питающихся от источника постоянного напряжения, показаны на рис. 15. Первый способ выключения ил­люстрируется схемами рис. 15,а — г, второй способ — схемой рис. 15Д

Ток через прибор может быть прерван размыканием цепи или шунтирова­нием прибора. В схеме рис. 15,а выключение тринистора происходит при крат­ковременном размыкании анодной цепи, что осуществляется нажатием кноп­ки St.

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Рис. 15. Способы выключения тринисторов в цепях постоянного тока:



а — размыканием анодной цепи; б — шунтированием прибора; в — с помощью шунтирующего транзистора; г — увеличением сопротивления в анодной цепи; д — обратным напряжением на коммутирующем конденсаторе

В схеме рис. 15, 6 тринистор выключается при нажатии шунтирующей кноп­ки Si, через контакты которой при этом проходит практически весь ток нагруз­ки, и анодный ток прибора становится равным нулю. Функции шунтирующей кнопки может выполнять транзистор, открываемый током базы на время t>tвыкл, необходимое для выключения тринистора (рис. 15,в). Для этой цели подходит транзистор, позволяющий кратковременно пропустить полный ток на­грузки и имеющий рабочее напряжение коллектор — эмиттер не менее чем напряжение используемого источника питания. Схема рис. 15,в особенно удоб­на для дистанционного выключения маломощных приборов.

При кратковременном нажатии кнопки в схеме, приведенной на рис. 15,г, последовательно с нагрузкой Ra включается резистор Ri, сопротивление кото­рого выбирается так, чтобы выполнялось условие Unuт/(Rи+R1) <Iуд, и трини­стор выключается.

Необходимо заметить, что в схемах рис. 15,а — г при отпускании кнопки возникают относительно высокие значения du3C/dt на аноде прибора, что мо­жет вызвать самопроизвольное возвращение прибора в проводящее состояние.

При втором методе выключения к электродам анод — катод полупровод­никового прибора с четырехслойной структурой необходимо кратковременно приложить обратное напряжение, получаемое от вспомогательного источника. Такой метод называется принудительной коммутацией, и для его реализации используется дополнительное коммутирующее устройство. Обычно источником обратного напряжения служит предварительно заряженный конден­сатор (называемый коммутирующим), который чаще всего подключается парал­лельно выключаемому прибору. Существует несколько способов подачи обрат­ного напряжения, один из них, наиболее распространенный, показан на рис. 15Д

После включения тринистора VSi через него проходит прямой ток (ток нагрузки) Iи = Iпр = Uпит/Rи, а коммутирующий конденсатор С„ через резистор RI и открытый тринистор VS1 заряжается практически до напряжения источ­ника питания Uc=Uпит (полярность напряжения на конденсаторе обозначена на рисунке).


Продолжительность заряда конденсатора с момента включения тринистора составляет примерно 3R1CK. Если теперь нажать кнопку S1, то по­ложительная обкладка конденсатора окажется подключенной к катоду, а от­рицательная — к аноду.

Таким образом, к прибору прикладывается обратное напряжение U0бР= Uпит. В цепи, образованной конденсатором Ск, замкнутыми контактами кнопки S1, тринистором VS1, возникает разрядный ток ic, который проходит че-рез прибор в обратном направлении. Заряженный конденсатор представляет со-бой источник отрицательного напряжения с низким внутренним сопротивлени­ем, что обеспечивает возможность прохождения достаточно большого обрат­ного тока. Когда результирующий ток через тринистор становится меньше удерживающего тока, т. е. (IПр — ic) <Iуд, прибор выключается. Остаточное отрицательное напряжение на конденсаторе несколько сокращает время вос­становления закрытого состояния прибора. Вместо кнопки в такой схеме обыч-но используется второй тринистор, на который подается сигнал выключения. В. рассмотренной схеме следует применять приборы, имеющие гарантированное обратное напряжение U0бр>Uпит.

Емкость коммутирующего конденсатора Ск должна быть достаточно боль­шой, чтобы обратное напряжение на приборе сохранялось в течение времени Rвыкл, необходимого для его выключения. Для случая активной нагрузки ем­кость конденсатора (в микрофарадах) может быть найдена из соотношения

Ск>1,45Iпрtвыкл/Uпит,                                                                              (18)

где IПр — прямой ток (ток нагрузки) в момент коммутации, А; £Выкл — вре­мя выключения прибора, икс; UПит — напряжение источника питания, В.

Показанные на рис. 15 способы выключения тринисторов также примени­мы и для выключения динисторов.

В устройствах, работающих в цепях переменного тока, для выключения три-нисторов (или динисторов) не требуется специального сигнала. Приборы вы­ключаются автоматически за счет естественного изменения полярности напря­жения на аноде в начале каждого отрицательного полупериода напряжения.


После выключения на анод прибора в течение отрицательного полупериода по­ддается обратное напряжение (рис. 11,6), что повышает устойчивость работы три-нисторов в устройствах на переменном токе. Такой метод выключения называ­ется естественной коммутацией, его простота и удобство являют­ся одними из основных причин широкого применения тринисторов в различ­имых цепях переменного тока.

 

11. Последовательное соединение приборов

В ряде устройств, в которых напряжение источника питания превы-шает наибольшее постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии одно­го прибора, используется последовательное соединение нескольких (обычно од­нотипных) приборов (рис. 16). При последовательном соединении приборов за­крытое состояние всей цепочки сохраняется, если напряжение на каждом при­боре не превосходит его напряжения U3c, т. е. при m-м числе приборов долж-но выполняться условие

Uпиm/m<UЗC.                                                                                          (19)

Токи в закрытом состоянии и емкости р-n переходов полупроводниковых приборов с четырехслойной структурой одного и того же типа могут сущест­венно различаться, поэтому при их последовательном соединении для вырав­нивания напряжений на отдельных приборах необходимо применять выравни­вающие цепи.

В ждущем режиме напряжение источника питания на каждом из последо-;аательно соединенных приборов будет распределяться обратно пропорционально их токам в закрытом состоянии: наибольшее падение напряжения оказыва­ется на приборе, имеющем наименьший ток в закрытом состоянии. Для вырав­нивания напряжений на приборах применяют резисторы, которые подключа­ются параллельно каждому прибору (резистор Rm на рис. 16).

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Рис. 16. Схемы последовательных соединений динисторов (а) и тринисторов (б, в):

а — отпирание цепочки динисторов импульсным сигналом; б — отпирание цепочки тринисто­ров с помощью импульсного трансформатора Т1; в — отпирание цепочки тринисторов с по-мощью конденсаторов связи (С1, С2)



Сопротивление шунтирующих резисторов рассчитывают по формуле

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


где Uзс — наибольшее постоянное прямое напряжение прибора в закрытом со-Стоянии; Uпит — напряжение источника питания; IЗC — ток в закрытом состоя­нии; m — число последовательно соединенных приборов. Шунтирующие рези­сторы вносят дополнительные потери; поэтому сопротивления их желательно выбирать как можно большими. Мощность, рассеиваемая на каждом резисторе Rm, определяется по формуле

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Резисторы Rш обеспечивают равномерное распределение напряжения на приборах только в ждущем (установившемся) режиме. В моменты коммута­ции (переключения из открытого состояния в закрытое) цепочки приборов к ней прикладывается прямое напряжение, которое может иметь достаточно крутой фронт нарастания. При этом напряжения на отдельных приборах распределя­ются обратно пропорционально емкостям р-n переходов каждого из них. На приборе, имеющем минимальную емкость, возникает перенапряжение, которое может привести к переключению этого прибора, а затем и всей цепочки в от­крытое состояние. Различие в емкостях р-n переходов может быть устранено, «ели параллельно каждому прибору подключить конденсатор небольшой емко­сти (конденсаторы Сь С2 на рис. 16,6). Для приборов малой и средней мощностей емкость этого конденсатора составляет примерно 500... 2000 пФ. По­следовательно с каждым конденсатором для ограничения разрядного тока через прибор целесообразно включать резистор (резисторы Ri, R2 на рис. 16,6), соп­ротивление которого определяется по формуле (17) и должно выбираться воз­можно меньшим, чтобы не снижать эффективность действия конденсаторов, вы­равнивающих напряжения на последовательно соединенных приборах в переход­ных режимах.

Рассмотрим переключение последовательной цепочки динисторов (рис. 16,а). В исходном состоянии напряжение на каждом приборе соответствует ус­ловию (19), и вся цепочка находится в закрытом состоянии. Переключение це­почки в открытое состояние может быть осуществлено при подаче переключа­ющего импульса на один из динисторов, например на VS3. Амплитуда этого импульса Uвх.и должна удовлетворять условию



(UBX.И+UПИТ/m) >UОТ.И.

Когда динистор VS3 переключается в открытое состояние, напряжение источ­ ника питания перераспределяется между остальными приборами и к каждо­му из них оказывается приложенным напряжение UПит/(m — 1). Прибор из це­почки, имеющий минимальное напряжение Uпрк, меньше чем Uпит/(т — 1), сле­дующим переключится в открытое состояние. Затем процесс повторяется и вся цепочка динисторов переключается в открытое состояние.

Существуют два способа включения последовательно соединенных трини-сторов:

1) яри одновременной подаче отпирающих импульсов на управляющий электрод каждого прибора;

2) при подаче отпирающего импульса на управляющий электрод только од­ного прибора.

Первый способ, при котором внешние отпирающие импульсы подаются на управляющие электроды каждого тринистора, иллюстрируется схемой рис. 16,6. Для такого способа управления необходим импульсный трансформатор T1 с количеством изолированных вторичных обмоток, равным числу последователь­но соединенных приборов. Изоляция между обмотками должна выдерживать напряжение не меньшее чем UПит. В цепь управления каждого тринистора сле­дует включать резистор R? для выравнивания входных сопротивлений отдель­ных приборов (рис. 16,6). Для одновременного включения тринисторов после­довательной цепочки отпирающие импульсы должны иметь минимально воз­можную длительность фронта (несколько десятых долей микросекунды) и та­кую амплитуду, чтобы ток управления каждого тринистора был примерно ра­вен Iу.от.и.

При втором способе отпирающий импульс подается на управляющий элек­трод только одного тринистора, а включение остальных приборов осуществля­ется сигналами, формирующимися в самой цепочке (рис. 16,0). В исходном состоянии конденсаторы d и С2 заряжены до напряжений, имеющихся на трп-нисторах VS2 и VSZ соответственно, в данном случае Uс1 = Uс2 = UПит/3; по­лярность напряжений на обкладках конденсаторов показана на рисунке. Тринистор VSz отпирается внешним управляющим импульсом.Напряжение на аноде трп-нистора VS3 резко снижается, вследствие чего конденсатор С2 разряжается че­рез резистор Rz, цепь управляющего электрода тринистора VS2 и открытый тринистор VS3. Разрядный ток конденсатора С2 открывает тринистор VS2. Разрядным током конденсатора С4 аналогичным образом включается тринистор VSi. Резисторы R1 и R2 ограничивают токи в цепях управляющих электродов приборов VSi и VS2. Сопротивление каждого из них рассчитывают по формуле (10), полагая UBX.И = Uc1 = Uc2=Unsит/3. Конденсаторы d и С2 кроме основ­ной функции выполняют также дополнительную: выравнивают напряжения на тринисторах VS2 и VS3 в моменты коммутации. Для тринистора VS1 эту роль выполняет конденсатор Сз. Резистор Rs ограничивает разрядный ток конденса­тора Сз через прибор VS1 при открывании последнего.


Содержание раздела